降低功耗，实现供电系统的小型化

A、小电机减速机结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻，还让其达到行业领先的品质因数（FOM）——1,450mΩ·nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管（Si-IGBT）相比，用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。

B、小电机减速机通过降低镜面电容（在MOSFET结构中，栅极和漏极之间存在的杂散电容），与竞争对手的产品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可实现快速的开关操作，降低开关损耗。

C、由于小电机减速机降低了开关功率损耗，通过驱动具有更高载频的功率半导体，得以实现冷却系统及周边部件（如反应器）的小型化和简单化，从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。

小电机减速机有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101规格的型号，适用于各种应用

A、 N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号，因此，该产品不仅适用于光伏系统等工业应用，也可用于电动汽车车载充电器。